2013 新消息

by / 星期二, 01 一月 2013 / Published in 2013 新消息

2013版本的元件模擬加入重離子輻射模型 (2013年10月4日)

APSYS已加入一新模型且我們的其他元件模擬能夠模擬一重離子擊對元件性能的影響,這使得軟體可以匯入第三方軟體工具如 SRIM/TRIM 的線性能量轉移(LET)資料。

2013版本元件模擬已釋出  (2013年9月24日)

2013版本的釋出標誌著Crosslight元件模擬軟體APSYS, PICS3D及LASTIP的高度成熟,下列為軟體近期更新與提升的要點:

  • 新系統讓使用者能夠除了材料編號以外自訂義材料標籤,在材料編號改變的情況下增進使用的彈性與方便性。
  • 使用GPU技術使Crosslight FDTD的速度大大提升。
  • LayerBuilder使用者圖形介面的網格消除更容易。
  • 改善輸出資料格式並大大增進CrosslightView對大型3D網格的處理速度。
  • 改善網格與GPU的使用提升計算速度。
  • 增加新模型補償邊際模型與主模型的競爭(PICS3D)。
  • 增加多種光學補償與損失、光腔傳導常數、線寬與雜訊等,增進資料輸出的能力。
  • 自動設定金屬功率函數已增進歐姆接觸(Ohmic contact)的條件。
  • 增加載子產生與注入模型的彈性讓快閃記憶體的讀寫過程更簡單。
  • 3D模擬的濃度檔案可以作跨多網格平面的單一宣告。
  • 改進多體增益模型的預設值使能帶重整化效應增強,符合實驗測量結果。
  • 實現非穩態格林函式(NEGF)法。
  • 多模式模擬的電路格式與多種版本的SPICE相容。
  • 改良光線追蹤程式使頻譜資料有更好的輸出(APSYS)。

Crosslight在渥太華 (Ottawa) 舉行短期課程 (2013年9月9日)

Crosslight很高興在此宣布為期三天的光元件及高電子遷移率電晶體模擬課程於10月17日至19日在渥太華/加地諾(Ottawa/Gatineau)舉行,此課程活動由CMC Microsystems舉辦,註冊資訊與更多細節請參考此連結

Crosslight在2013 NUSOD的軟體教學 (2013年8月28日)

Crosslight很高興在8月23日星期五的NUSOD加拿大研討會提供一場光電子元件模擬的半天免費課程,細節請參閱此連結

請先進行報名並於於當天攜帶Windows筆記型電腦以便在課程當中進行demo程式。

FDTD模擬技術的突破 (2013年5月28日)

Crosslight很榮幸宣布一項FDTD模擬技術伴隨高效率GPU加速的突破,使用平價GPU卡達到最新66x加速因子。

可以在Crosslight TCAD工具包括OptoWizard、APSYS和PICS3D中使用新模組,有興趣的使用者可以向Crosslight索取試用版本,更多細節請參閱此連結

新混合式NEGF法 (2013年2月27日)

Crosslight很高興宣布對元件模擬的非穩態格林函式(NEGF)法已經成功實現,NEGF法被認為是對元件內奈米級載子傳輸建模最先進的方法,由於其計算上的複雜性,我們採用一種複合式的方法,將一元件分化成一量子彈道制(QBT)以及多種經典的漂浮擴散制(DD),需要大量計算的NEGF法只被用於量子彈道制,並且被無縫整合於Crosslight的APSYS元件模擬軟體,Crosslight的使用者在進行NEGF模擬和典型TCAD模擬將能夠感受到除了處理速度因為NEGF必須的額外數字計算而略為下降外,其他並無差別。

新模型已經可以在APSYS 2013 beta版本中使用,更多細節請參閱新的投影片,投影片列出3D FINFET從頭到尾的製程與元件模擬步驟,展示如何使用NEGF模型。為了使模擬更加精確,量子限制效應依據量子線狀態密度(DOS)理論作處理。

現在的Crosslight TCAD工具使用者以及新使用者歡迎聯繫我們索取免費試用版,申請表請至此連結填寫。

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