<新>氮化鎵高速電子遷移率電晶體教學影片

by / 星期二, 30 九月 2014 / Published in 2014 新消息, 新消息&事件

我們很高興在此宣布一支氮化鎵高電子遷移率電晶體模擬教學影片(GaN HEMT)已上傳,該元件被廣泛認為是極具發展潛力的次世代功率元件,該技術有望在將來為市場帶來數十億美元的經濟效益。作為一家全球領先的化合物半導體元件模擬軟體公司,Crosslight 正在利用二十多年的發展的經驗,將研發重點放在開發世界第一的GaN HEMT功率元件模擬軟體。

 

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