＜新＞氮化鎵高速電子遷移率電晶體教學影片
我們很高興在此宣布一支氮化鎵高電子遷移率電晶體模擬教學影片(GaN HEMT)已上傳，該元件被廣泛認為是極具發展潛力的次世代功率元件，該技術有望在將來為市場帶來數十億美元的經濟效益。作為一家全球領先的化合物半導體元件模擬軟體公司，Crosslight 正在利用二十多年的發展的經驗，將研發重點放在開發世界第一的GaN HEMT功率元件模擬軟體。
Recent Posts
Crosslight 2024最佳專案獎
我們很自豪地宣布與伊利諾大學厄巴納-香檳分校 (University of Illinois ...光子晶體面射型雷射 (PCSEL)模型 Beta 版
我們已針對 2024 年 PICS3D 測試版發布了 3D PCSEL 模型的初始版本。 有興...v2023 發佈公告
Crosslight 很自豪地宣布即將發布的 v2023 版本的新功能和里程碑。 除了多個錯誤...下一代面射型雷射 3D 模擬裝置
我們很高興地宣布，我們的提案「下一代面射型雷射 3D 模擬裝置」已獲得加拿大國家研究委員會工業...新型氧化物 VCSEL 演示
氧化型電流侷限垂直面射型雷射 (HCG-VCSEL) 模型的新演示已上傳。 這展示了微共振腔模...
Archives
- 2024 年 5 月
- 2024 年 2 月
- 2023 年 8 月
- 2022 年 11 月
- 2022 年 5 月
- 2022 年 2 月
- 2022 年 1 月
- 2021 年 8 月
- 2021 年 7 月
- 2020 年 12 月
- 2020 年 10 月
- 2019 年 11 月
- 2019 年 6 月
- 2019 年 2 月
- 2018 年 10 月
- 2018 年 7 月
- 2018 年 6 月
- 2017 年 3 月
- 2015 年 6 月
- 2015 年 1 月
- 2014 年 10 月
- 2014 年 9 月
- 2014 年 8 月
- 2014 年 6 月
- 2013 年 1 月
- 2012 年 1 月
- 2011 年 1 月
近期留言